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ディスクリート半導体製品
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Drain to Source Voltage (Vdss):
30V
(1)
40V
(1)
FET Type:
2 N-Channel (Dual)
(1)
2 P-Channel (Dual)
(1)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
38nC @ 10V
(1)
50nC @ 10V
(1)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1680pF @ 10V
(1)
1835pF @ 20V
(1)
Power - Max:
48W
(1)
56W
(1)
Product Status:
Active
(1)
Obsolete
(1)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
17mOhm @ 7.5A, 10V
(1)
9.3mOhm @ 9.7A, 10V
(1)
フィルター:
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Operating Temperature : -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 30A
Package / Case : PowerPAK® SO-8 Dual
2 記録
画像
部
メーカー
説明
MOQ
ストック
アクション
SQJ951EP-T1_GE3
Vishay
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
1
PDF
6,500
In-stock
見積もりを取る
SQJ912AEP-T1_GE3
Vishay
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
1
PDF
6,500
In-stock
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SQJ951EP-T1_GE3
Vishay
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
ストック : 6,500
RFQ
SQJ912AEP-T1_GE3
Vishay
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
ストック : 6,500
RFQ
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