トランジスタ - IGBT - シングル

Gate Charge：

Switching Energy：

Td (on/off) @ 25°C：

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：

フィルター：

2 記録

画像	部	メーカー	説明	MOQ		ストック	アクション
	IHW40N120R3FKSA1	Infineon Technologies	IGBT 1200V 80A 429W TO247-3	1	PDF	6,500 In-stock	見積もりを取る
	IHW40N135R3FKSA1	Infineon Technologies	IGBT 1350V 80A 429W TO247-3	1	PDF	6,500 In-stock	見積もりを取る

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